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STGF3NC120HD
1.2kV 6A
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- 描述
- 这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGF3NC120HD
- 商品编号
- C10076
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 10A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.8V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 470pF | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 118ns | |
| 导通损耗(Eon) | 236uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 290uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 51ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款PowerMESH IGBT采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。新的寿命控制技术实现了良好的开关性能和低电压降。这款带有共封装二极管的IGBT针对中小型设备的水平偏转应用进行了优化。
商品特性
- 低导通压降（Vcesat）
- 高电流能力
- 关断损耗包括尾电流
- 高速
应用领域
- 水平偏转
- 家用电器
- 照明