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STGF3NC120HD

1.2kV 6A

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描述: 这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STGF3NC120HD
商品编号: C10076
商品封装: TO-220FP
包装方式: 管装
商品毛重: 2.6克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	-
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	6A
	耗散功率(Pd)	25W
	输出电容(Coes)	45pF
	正向脉冲电流(Ifm)	12A
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.8V@3A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	24nC@15V
	输入电容(Cies)	470pF
	开启延迟时间(Td(on))	15ns
	关断延迟时间(Td(off))	118ns
	导通损耗(Eon)	236uJ
	关断损耗(Eoff)	290uJ
	反向恢复时间(Trr)	51ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	反向传输电容(Cres)	6pF

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：20A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值：25W
开关能量：236μJ（开），290μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：24nC
25°C 时 Td（开/关）值：15ns/118ns
测试条件：800V，3A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：51ns
封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FP

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