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STL50DN6F7
2个N沟道 耐压:60V 电流:57A
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- 描述
- 双路N沟道60 V、9 mOhm典型值、57 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL50DN6F7
- 商品编号
- C967638
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
沟槽功率低压MOSFET技术 高功率和电流处理能力 低栅极电荷
商品特性
-市场上极低的RDS(ON)-出色的品质因数(FOM)-低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰能力-高雪崩耐量
应用领域
-开关应用
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