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FM24CL64B-GTR
FM24CL64B-GTR
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- 描述
- 64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
- 商品型号
- FM24CL64B-GTR
- 商品编号
- C9829
- 商品封装
- SOIC-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.65V | |
| 工作电流 | 300uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 3uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
FM24CL64B是64-Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为8K×8。它采用铁电工艺，非易失，读写操作类似RAM，提供151年数据保留，并减少EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL64B以总线速度执行写操作，无写延迟；每个字节成功传输后数据立即写入存储器阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。F-RAM写入时功耗低于EEPROM，因为写操作不需要为写入电路内部升高电源电压。FM24CL64B支持10的14次方次读/写循环，或比EEPROM多1亿倍写入循环。器件规格在工业温度范围-40℃至+85℃内得到保证。
商品特性
- 高耐久：100万亿（10的14次方）次读/写
- 151年数据保留
- 无延迟写入
- 高可靠性铁电工艺
- 快速两线串行接口（I²C）
- 频率高达1MHz
- 可直接硬件替换串行（I²C）EEPROM
- 支持100kHz和400kHz传统时序
- 低功耗：100kHz时典型工作电流100μA；典型待机电流3μA
- 工作电压：VDD=2.7V至3.65V
- 工业温度：-40℃至+85℃
- 写保护：WP引脚高（VDD）写保护所有地址，低（VSS）禁用，内部下拉
- 无页缓冲
应用领域
- 需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用
- 数据记录
- 要求严苛的工业控制
- 作为串行（I²C）EEPROM的硬件直接替换
- 基于微控制器的系统