FM25CL64B-GTR
通信接口:SPI 64Kbit 3V
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- 描述
- FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间，支持高达 100 万亿次读写操作，无需延迟写入。支持 SPI 接口，最高时钟频率为 20 MHz。
- 商品型号
- FM25CL64B-GTR
- 商品编号
- C9830
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.65V | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 3uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 3uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
FM25CL64B是一款64-Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑组织为8K×8。它采用铁电工艺，是非易失性存储器，读写操作类似RAM。与串行闪存和EEPROM不同，它以总线速度执行写操作，无写延迟，每个字节成功传输后立即写入存储器阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。它提供151年数据保持，并可支持10^14次读/写周期，写耐久性高于EEPROM。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
商品特性
- 高耐久性100万亿(10^14)次读/写
- 151年数据保持
- 无延迟写入
- 高可靠性铁电工艺
- 高速串行外设接口(SPI)
- 频率高达20MHz
- 可直接硬件替换串行闪存和EEPROM
- 支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
- 多级写保护方案
- 使用写保护WP引脚的硬件保护
- 使用写禁止指令的软件保护
- 对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
- 低功耗：1MHz时工作电流200μA
- 待机电流3μA(典型)
- 低电压工作：VDD=2.7V至3.65V
- 工业温度：-40℃至+85℃
应用领域
- 需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用
- 数据采集
- 要求严格的工业控制
- 作为串行EEPROM或串行闪存的硬件直接替换
- 与具有硬件SPI端口的微控制器直接接口
- 无专用SPI总线的微控制器可用通用端口模拟SPI接口