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BSS84W
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.17A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术，低导通电阻，低栅极电荷
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- BSS84W
- 商品编号
- C919394
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF |
商品概述
4N60是一款高压MOSFET，具备出色的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) = 2.5Ω @VGS = 10V
- 超低栅极电荷（典型值15.0nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值为8.0 pF）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性
应用领域
-视频监视器-电源管理