温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WPM2087-3/TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- WPM2087 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2087-3/TR
- 商品编号
- C910990
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.182nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CS72N12是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。其坚固的EAS能力和极低的RDS(ON) ，适用于PWM、负载开关，尤其适用于电动自行车控制器应用。
商品特性
- VDS = 95V；在VGS = 10V时，ID = 118A；
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.0mΩ
- 专为电动自行车控制器应用设计
- 极低的导通电阻
- 高UIS且UIS 100%测试
应用领域
- 72V电动自行车控制器应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐