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WCM2001-6/TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 品牌名称WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WCM2001-6/TR商品编号
C910992商品封装
DFN-6L-EP(2x2)包装方式
编带
商品毛重
0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@4.5V,550mA；85mΩ@4.5V,3.1A | |
| 功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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