温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WCM2001-6/TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WCM2001 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管集成于单个封装的产品，适用于 DC - DC 转换器或负载开关应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2001 为无铅产品
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCM2001-6/TR
- 商品编号
- C910992
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA；3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V；85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV；560mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V；6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF；470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF；50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF；13pF |
商品概述
DFN 3*3A-8L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计,实现极低的 Rds(on)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 采用 DFN2x2-6L 小型封装设计
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关