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HG8551CM/TR
零漂移、单电源RRIO单通道运算放大器
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- 描述
- HG855X放大器是单/双电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器，该放大器带宽为1.5MHz，具备轨到轨输入和输出，单电源工作电压范围为2.1V至5.5V。HG855X采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于5μV），且温度漂移近乎为零。每个放大器的静态电源电流低至320nA，输入偏置电流极低，仅为20pA，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG8551CM/TR
- 商品编号
- C910861
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 1 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 7.5V | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 增益带宽积(GBW) | 1.5MHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 5uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 50nV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 840V/ms | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 10pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | 49nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 110dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 320uA | |
| 输出电流 | 30mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 单电源电压 | 2.1V~5.5V | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -1.05V~2.75V | |
| 功能特性 | - |
商品概述
HG855X放大器是单/双电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器，该放大器提供1.5MHz带宽、轨到轨输入和输出，以及2.1V至5.5V的单电源操作。HG855X采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于30µV）和接近零的温度漂移。每个放大器320µA的低静态电源电流和20pA的极低输入偏置电流，使该器件成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。HG855X在没有传统互补输入级相关交越的情况下提供出色的共模抑制比。这种设计在驱动模数转换器（ADC）时可实现卓越性能，而不会降低差分线性度。
HG8551有SOT23 - 5、DFN - 8和SOP8封装。HG8552有MSOP8、DFN - 8和SOP8封装。在所有电源电压下，-40°C至+125°C的扩展温度范围提供了额外的设计灵活性。
商品特性
- 单电源操作，电压范围为+2.1V ~ +5.5V
- 轨到轨输入/输出
- 增益带宽积：1.5MHz（典型值，@25°C）
- 低输入偏置电流：20pA（典型值，@25°C）
- 低失调电压：30uV（最大值，@25°C）
- 静态电流：每个放大器320µA（典型值）
- 工作温度：-40°C ~ +125°C
- 零漂移：0.05µV/°C（最大值）
- 嵌入式RF抗EMI滤波器
- 小封装：HG8551有SOT23 - 5、DFN - 8和SOP - 8封装；HG8552有MSOP - 8、DFN - 8和SOP - 8封装
应用领域
- 传感器应用
- 温度测量
- 电子秤
- 手持式测试设备
- 电池供电仪器