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NCV20082DR2G
NCV20082DR2G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV20082DR2G
- 商品编号
- C904585
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 2 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 6V | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 4mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 4mV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 400V/ms | |
| 输入偏置电流(Ib) | 1.5nA | |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | 30nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 79dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 42uA | |
| 输出电流 | 11mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 单电源电压 | 1.8V~5.5V | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 内置补偿；ESD保护 |