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NCV33079DR2G实物图
  • NCV33079DR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV33079DR2G

NCV33079DR2G

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描述
MC33078/9 系列是一系列优质单片运算放大器,采用具有创新高性能概念的双极技术,适用于优质音频和数据信号处理应用。此系列结合了高频率 PNP 输入晶体管的使用,可产生具有低输入电压噪声和高增益带宽产品和摆率的放大器。所有 NPN 输出级均无死区交越失真,具有大输出电压摆幅、卓越相位和增益容限、低开环高频输出阻抗以及对称源/汲交流频率性能。MC33078/9 系列均提供双路,采用塑料 DIP 和 SOIC 封装(P 和 D 后缀)。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV33079DR2G
商品编号
C904601
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录运算放大器
放大器数四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)18V
轨到轨-
增益带宽积(GBP)16MHz
输入失调电压(Vos)150uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)7V/us
输入偏置电流(Ib)800nA
属性参数值
输入失调电流(Ios)175nA
噪声密度(eN)4.5nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)100dB
输入失调电流温漂(Ios TC)-
静态电流(Iq)8.4mA
输出电流29mA
工作温度-40℃~+85℃
双电源(Vee~Vcc)5V~18V

商品概述

MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和压摆率。全NPN输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料DIP和SOIC封装(后缀为P和D)。

商品特性

  • 双电源供电:±5.0 V至±18 V
  • 低电压噪声:4.5 nV/√Hz
  • 低输入失调电压:0.15 mV
  • 低输入失调电压温度系数:2.0 μV/℃
  • 低总谐波失真:0.002%
  • 高增益带宽积:16 MHz
  • 高压摆率:7.0 V/μs
  • 高开环交流增益:800(在20 kHz时)
  • 出色的频率稳定性
  • 大输出电压摆幅:+14.1 V/ - 14.6 V
  • 输入提供ESD二极管
  • 采用NCV前缀,适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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