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NVMFS6H848NLT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:59A
- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H848NLWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS6H848NLT1G
- 商品编号
- C900478
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
交货周期
订货95-97个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 4500 个)个
起订量：4500 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交13单
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