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NB3N1200KMNTXG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NB3N1200KMNTXG

NB3N1200KMNTXG

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描述
NB3N1200K 和 NB3W1200L 差分时钟缓冲器符合 DB1200Z 和 DB1200ZL,适用于结合符合 PCIe 标准的源时钟合成器来为多个代理提供点对点时钟。该器件能够为 Intel 快速通道互联 (Intel QPI & UPI)、PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4、SAS、SATA 和 Intel 可扩充内存互连 (Intel SMI) 应用分发参考时钟。该器件的 VCO 针对 100 MHz 和 133 MHz 频率运行进行优化。NB3N1200K 和 NB3W1200L 使用假外部反馈拓扑结构来实现低输入-输出延迟变化。NB3N1200K 配置了 HCSL 型缓冲器,NB3W1200L 配置了低功耗 NMOS 推拉型缓冲器。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NB3N1200KMNTXG
商品编号
C899910
商品封装
QFN-64-EP(9x9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.362007克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录时钟发生器/频率合成器/PLL
最大输出频率133MHz
工作电压3.135V~3.465V
属性参数值
输出通道数12
工作温度0℃~+70℃

商品概述

NB3N1200K和NB3W1200L差分时钟缓冲器符合DB1200Z和DB1200ZL标准,旨在与符合PCIe标准的源时钟合成器配合使用,为多个设备提供点对点时钟。该器件能够为英特尔快速通道互连(Intel QPI和UPI)、PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4、SAS、SATA和英特尔可扩展内存互连(Intel SMI)应用分配参考时钟。该器件的VCO经过优化,支持100 MHz和133 MHz频率操作。NB3N1200K和NB3W1200L采用伪外部反馈拓扑,以实现低输入到输出延迟变化。NB3N1200K配置为HCSL缓冲器类型,而NB3W1200L配置为低功耗NMOS推挽缓冲器类型。

商品特性

  • 12对差分时钟输出 @ 0.7 V
  • NB3N1200K具有HCSL兼容输出
  • NB3W1200L具有低功耗NMOS推挽兼容输出
  • 优化的100 MHz和133 MHz工作频率,以满足下一代PCIe Gen2/Gen3/Gen4和英特尔QPI及UPI相位抖动要求
  • 符合DB1200Z和DB1200ZL标准
  • 3.3 V ±5%电源电压工作
  • 固定反馈,实现最低输入到输出延迟变化
  • SMBus可编程配置,允许在单个控制网络中使用多个缓冲器
  • PLL旁路可配置,用于PLL或扇出操作
  • 可编程PLL带宽
  • 2个三电平地址选择(9个SMBUS地址)
  • 12个输出各有独立的OE控制引脚
  • 最大输出到输出偏斜性能为50 ps
  • 最大周期到周期抖动(PLL模式)为50 ps
  • 输入到输出延迟变化性能为100 ps
  • QFN 64引脚封装,9 mm x 9 mm
  • 支持扩频:跟踪输入时钟扩展以降低EMI
  • 环境工作温度范围为0℃至+70℃
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1000个/圆盘

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