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NCE7560K
1个N沟道 耐压:75V 电流:60A
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- 描述
- N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE7560K
- 商品编号
- C95273
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE7560K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 75V；当栅源电压VGS = 10V时，漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源