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FOD3184TSR2V
DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
- 描述
- FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FOD3184TSR2V
- 商品编号
- C898473
- 商品封装
- SOP-8-2.54mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 工作电压 | 15V~30V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 210ns | |
| 传播延迟 tpHL | 210ns | |
| 输入阈值电流(FH) | 7.5mA | |
| 输出电流 | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 正向压降(Vf) | 1.43V |
商品概述
FOD3184 是具有 3A 输出电流，高速MOSFET/IGBT 栅极驱动光耦。它由铝砷化镓(AlGaAs) 发光二极管组成，该二极管与具有PMOS 和NMOS 输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏（PDPs），电动机用逆变器控制，以及高性能 DC/DC 转换器中采用的高频功率驱动 MOSFETS/IGBT。 该器件封装在8 引脚双列直插式外壳内，兼容 260°C 回流焊接工艺，符合无铅焊接的规定。
商品特性
- 具有 50 kV/µs（典型值）共模抑制特点的高抗噪能力
- 保证工作温度范围为 -40°C 至 +100°C
- 中等功率MOSFET/IGBT 的3A 峰值输出电流
- 快速开关速度– 210 ns（最大值）传播延迟– 65 ns max 脉宽失真度
- 快速输出上升/ 下降时间– 提供较低的动态功耗
- 250 kHz 最大开关速度
- 宽 VDD 工作范围 15 V 至 30 V
- 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
- 带滞回的欠压锁定保护(UVLO) - 优化用于驱动IGBT
- 安全和法规认证– UL1577，5,000 VACRMS，1 分钟。– DIN EN/IEC 60747-5-2，1,414 峰值工作绝缘电压
- 最小爬电距离为 8.0 mm
- 最小绝缘厚度为 8 mm 至 16 mm（选项TV 或TSV）
- 最小绝缘厚度为 0.5 mm
应用领域
- 等离子显示屏
- 高性能 DC/DC 转换器
- 高性能开关模式电源
- 高性能不间断电源
- 隔离功率MOSFET/IGBT 栅极驱动
交货周期
订货49-51个工作日购买数量
(700个/圆盘，最小起订量 1400 个)个
起订量：1400 个700个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单