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SZESD9R3.3ST5G
ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：1A@8/20us
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- 描述
- ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD9R3.3ST5G
- 商品编号
- C896571
- 商品封装
- SOD-923
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 7.8V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1A@8/20us | |
| 击穿电压 | 4.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1nA | |
| 工作温度 | 0℃~+50℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.5pF |
商品概述
ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0°C到50°C的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。
商品特性
- 超低泄漏电流 < 1 nA
- 超低电容 0.5 pF
- 低钳位电压
- 小外形尺寸：0.039"x0.024" (1.00 mmx0.60 mm)
- 低本体高度：0.016" (0.4 mm)
- 耐受电压：3.3 V
- 响应时间 < 1.0 ns
- 符合IEC61000-4-2 4级ESD保护标准
- 带有SZ前缀，适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这是一款无铅、无卤器件