温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SMUN5232DW1T1G
SMUN5232DW1T1G
- 描述
- 该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SMUN5232DW1T1G
- 商品编号
- C894402
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 15@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用，采用 S 和 NSV 前缀；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合 RoHS 标准