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SHN1B01FDW1T1G
NPN+PNP 电流:200mA 电压:50V
- 描述
- 特性：高电压和高电流：VCEO = 50V，IC = 200mA。 高hFE：hFE = 200-400。 湿度敏感度等级：1。 ESD评级: -人体模型：3A。 -机器模型：C。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SHN1B01FDW1T1G
- 商品编号
- C894313
- 商品封装
- SC-74-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200@2mA,6V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |