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2SK3634-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO251；N—Channel沟道,200V；8A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3634-VB
- 商品编号
- C879185
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- DC/DC转换器-DC/AC逆变器-电机驱动器