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PHK12NQ03L-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHK12NQ03L-VB
- 商品编号
- C878933
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 800pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关