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STD17NF03L-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于LED照明控制、电动工具、电池管理系统等领域。TO251；N—Channel沟道,30V；50A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD17NF03L-VB
- 商品编号
- C878929
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 无卤
- 第三代沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100% 单脉冲雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换-系统电源