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SI2377EDS-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2377EDS-VB
- 商品编号
- C878853
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 移动计算领域
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器