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SI2309DS-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.2A
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- 描述
- 特性：隔离封装。 高压隔离 = 2.5 kVₚ₋ₚ (t = 60 s, f = 60 Hz)。 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm。 P沟道。 工作温度175℃。 动态dV/dt额定值。 低热阻。 无铅可用
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2309DS-VB
- 商品编号
- C878858
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 有无铅版本
- 符合RoHS标准