AO4816-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N通道功率场效应管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,30V;8.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4816-VB商品编号
C878869商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.163克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 7.2A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,8A | |
功率(Pd) | 2W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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