1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
- 1+: ¥2.52 / 个
- 10+: ¥2.06 / 个
- 30+: ¥1.87 / 个
- 100+: ¥1.63 / 个
- 500+: ¥1.52 / 个
- 1000+: ¥1.45 / 个 (折合1圆盘3625元)
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¥2.52 / 个 |
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¥2.06 / 个 |
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¥1.87 / 个 |
100+: |
¥1.63 / 个 |
500+: |
¥1.52 / 个 |
1000+: |
¥1.45 / 个 (折合1圆盘3625元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
功率(Pd) | 100W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,21.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.201nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 370pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |