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RTR025N05T-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RTR025N05T-VB
- 商品编号
- C878848
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 335pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器-N 沟道 MOSFET