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1N60L-TM3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 1N60L-TM3-VB
- 商品编号
- C878803
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 完整表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源-高速功率开关