温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLU3410P-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- 特性：DT-Trench Power MOSFET。 175℃ 结温。 100% Rg 测试。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLU3410P-VB
- 商品编号
- C878820
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 61W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 892pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |