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IRFIZ24GP-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFIZ24GP-VB
- 商品编号
- C878764
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,45A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本