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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7831TRPBF

1个N沟道 耐压:30V 电流:21A

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描述
特性:极低的导通电阻(RDS(on)):在4.5V的栅源电压(VGS)下。 超低的栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻(RG)。 无铅。应用:网络和计算系统中的高频负载点同步降压转换器
商品型号
IRF7831TRPBF
商品编号
C92306
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))3.6mΩ@10V,20A
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.35V
栅极电荷量(Qg)60nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.24nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 在VGS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
  • 超低栅极阻抗
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 100%测试栅极电阻RG
  • 无铅

应用领域

  • 用于网络和计算机系统应用的高频负载点同步降压转换器。

数据手册PDF