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IRF7105TRPBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:25V 电流:3.5A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7105TRPBF
- 商品编号
- C94064
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A；2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V；250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V；25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF；290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF；67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF；250pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过0.8W。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-超低导通电阻-双N沟道和P沟道MOSFET-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-快速开关-无铅