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PSMN057-200B,118
1个N沟道 耐压:200V 电流:39A
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- 描述
- N沟道,200V,39A,41mΩ@10V
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN057-200B,118
- 商品编号
- C92207
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57Ω@10V,17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算机、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻，可实现更高的工作功率
- 低导通电阻，降低传导损耗
- 快速开关特性，适用于高频应用
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关模式电源
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