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PHKD6N02LT,518
停产 2个N沟道 耐压:20V 电流:10.9A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHKD6N02LT,518
- 商品编号
- C96232
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.247克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的双逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻,传导损耗低
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-电池充电器-笔记本电脑-直流-直流转换器-便携式设备