- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 68V、75A N沟道MOSFET
- 当VGS = 10 V时,RDS(导通)(典型值) = 6.5 mΩ
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 出色的dv/dt能力
应用领域
- 开关应用