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STM32F101VBT6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32F101VBT6

主流基本型系列ARM Cortex-M3 MCU,具有128 KB Flash和36 MHz CPU

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 36 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 64 至 128 Kbytes 的闪存。 10 至 16 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,V_BAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 调试模式:串行线调试(SWD)和 JTAG 接口
商品型号
STM32F101VBT6
商品编号
C8316
商品封装
LQFP-100(14x14)​
包装方式
托盘
商品毛重
2.987克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M3
CPU最大主频36MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量128KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量16KB
属性参数值
EEPROM容量-
I/O数量80
ADC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压2V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU

    • 最大频率36 MHz
    • 在0等待状态存储器访问下,Dhrystone 2.1性能为1.25 DMIPS/MHz
    • 单周期乘法和硬件除法
  • 存储器

    • 64至128 K字节的Flash存储器
    • 10至16 K字节的SRAM
  • 时钟、复位和电源管理

    • 2.0至3.6 V的应用电源和I/O
    • POR、PDR和可编程电压检测器(PVD)
    • 4至16 MHz晶体振荡器
    • 内部8 MHz工厂校准RC
    • 用于CPU时钟的40 kHz RC PLL
    • 带校准功能的32 kHz RTC振荡器
  • 低功耗

    • 睡眠、停止和待机模式
    • 用于RTC和备份寄存器的VBAT电源
  • 调试模式

    • 串行线调试(SwD)和JTAG接口
  • DMA

    • 7通道DMA控制器
    • 支持的外设:定时器、ADC、SPIs、I2Cs和USARTs
  • 12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道)

    • 转换范围:0至3.6 V
    • 温度传感器
  • 最多80个快速I/O端口

  • 26/37/51/80 I/O端口,所有端口均可映射到16个外部中断向量,并且几乎都支持5 V耐压

  • 六个定时器

    • 三个16位定时器,每个定时器最多支持4个IC/OC/PwM或脉冲计数器
    • 两个看门狗定时器(独立和窗口)
    • SysTick定时器:24位递减计数器
  • 最多7个通信接口

    • 最多2个I2C接口(SMBus/PMBus)
    • 最多3个USARTs(ISO 7816接口、LIN、IrDA功能、调制解调器控制)
    • 最多2个SPIs(18 Mbit/s)
  • CRC计算单元,96位唯一ID

  • ECOPACK封装

数据手册PDF

优惠活动

  • 3.9

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