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AO4447A(UMW)
耐压:30V 电流:18.5A
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- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压VDS = -30V。 漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4447A(UMW)
- 商品编号
- C7588050
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V；6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 615pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |