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FDS8878(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:10.2A
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- 描述
- 特性：此N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.2A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 14mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS8878(UMW)
- 商品编号
- C7588053
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 897pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
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