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IRF9956TR(UMW)
耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：SOP-8通过定制框架进行了修改，以增强热特性和多芯片能力，使其适用于各种电源应用。采用第五代技术。超低导通电阻。表面贴装。完全雪崩额定。无铅
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF9956TR(UMW)
- 商品编号
- C7588054
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SOP-8封装经过定制引线框架改进，增强了散热特性和多芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，可以在应用中采用多个器件，同时显著减少电路板占用空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- V_DS(V) = 30V， I_D = 3.5A
- R_DS(ON) < 80mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 150mΩ (V_GS = -4.5V)
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 完全雪崩额定
- 无铅
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- GSOT08C-E3-08(UMW)
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- GSOT15C-E3-08(UMW)
- GSOT24C-E3-08(UMW)
- GSOT36C-E3-08(UMW)
- PESD5V0V1BB(UMW)
- D5V0L2B3SO-7(UMW)
- SDT23C05L02
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