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FDD86113LZ(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:5.5A
- 描述
- N-Channel逻辑电平MOSFET采用先进工艺生产，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD86113LZ(UMW)
- 商品编号
- C7588048
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V；110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 213pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
该N沟道逻辑电平MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进工艺制造。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 典型人体模型ESD保护等级 >6kV
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- VDS(V) = 100V
- ID = 5.5A
- RDS(ON) < 104mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 156mΩ (VGS = 4.5V)
- 采用屏蔽栅MOSFET技术
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
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