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IRFB4110PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术技术，适用于各种高功率电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFB4110PBF-VB商品编号
C7568843商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V |
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