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RU1H130S-VB
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RU1H130S-VB
- 商品编号
- C7568851
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-沟槽功率MOSFET-最高结温175 °C-符合RoHS指令2002/95/EC