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AO4442-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单个N型MOSFET，采用Trench工艺，具有广泛的应用潜力，可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中。SOP8；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4442-VB商品编号
C7568860商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 124mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V |
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