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SI7790DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率和电流的应用场合。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；70A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7790DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7568845
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供SOT - 223封装