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BSS123-7-F
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如：小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS123-7-F
- 商品编号
- C85107
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用Diodes Incorporated专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用。
商品特性
~~- 低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-高漏源电压额定值-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性。-符合汽车标准的产品有单独的数据手册(BSS123Q)
应用领域
- 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-开关应用