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BSS84-7-F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84-7-F

1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA

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描述
这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
BSS84-7-F
商品编号
C85202
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@5V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@1mA
栅极电荷量(Qg)590pC@10V
输入电容(Ciss)24.6pF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.7pF

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
  • 符合汽车应用标准的产品(BSS84Q)有单独的数据手册

应用领域

  • 通用接口开关
  • 电源管理功能
  • 模拟开关

数据手册PDF