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DMP2305U-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻: -60mΩ @ VGS =-4.5V。 -90mΩ @ VGS =-2.5V。 -113mΩ @ VGS =-1.8V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2305U-7
- 商品编号
- C85097
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 727pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = -4.5 V时为60 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时为90 mΩ
- 在VGS = -1.8 V时为113 mΩ
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件