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PMV50EPEA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV50EPEA

耐压:20V 电流:4A

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描述
特性:VDS = -20V,ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD 等级:2500V HBM。应用:负载/电源开关。 接口
商品型号
PMV50EPEA
商品编号
C7472863
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))650mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1811nF@10V
反向传输电容(Crss)114.8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)-

数据手册PDF