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NVMFS5113PLT1G-TP
耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- 应用：负载开关。便携式/台式电脑电源管理。DC/DC转换
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NVMFS5113PLT1G-TP
- 商品编号
- C7472882
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2542克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.604nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。该器件专为电源、转换器和动力电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- VDS（V） = -60 V
- ID = -12 A（VGS = -10 V）
- RDS（ON） = 150 mΩ（VGS = -10 V）
- 规定雪崩能量
- 规定高温下的IDSS和VDS（ON）
- 专为低压、高速开关应用设计，可承受雪崩和换向模式下的高能量
应用领域
-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-直流-直流转换