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FDC6312P
2个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDC6312P
- 商品编号
- C7472916
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V；120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -3A
- 栅源电压(VGS) = -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 120mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 85mΩ(典型值)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理