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NTF3055-100T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTF3055-100T1G

耐压:60V 电流:4A

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描述
特性:60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10V,RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5V。 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用:负载/电源开关。 接口
商品型号
NTF3055-100T1G
商品编号
C7472934
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.23244克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)530pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

GSFP0341采用最新技术实现了高单元密度和低导通电阻。这些特性使该器件在高效开关模式电源及其他各种应用中极为高效可靠。

商品特性

  • 先进的MOSFET工艺技术
  • 非常适合高效开关模式电源
  • 低导通电阻和低栅极电荷
  • 快速开关和反向体恢复

数据手册PDF