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TPM1019ND6-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM1019ND6-1

耐压:20V 电流:15.2A

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描述
特性:0.6mm 高度,适合低轮廓应用。 4mm² PCB 占位面积。 低栅极阈值电压。 低导通电阻。应用:通用接口开关。 电源管理功能
商品型号
TPM1019ND6-1
商品编号
C7472898
商品封装
DFN2X2-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0305克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)15.2A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@4.5V,15.2A
耗散功率(Pd)800mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)19.3nC
输入电容(Ciss)1.439nF@10V
反向传输电容(Crss)202pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源击穿电压(VDSS) = -20V,漏极电流(ID) = -2.8A
  • 漏源导通电阻(RDS(on)):在 -2.5V 时为 80mΩ(典型值)
  • 漏源导通电阻(RDS(on)):在 -4.5V 时为 110mΩ(典型值)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF